国家知识产权局信息显示，洪启集成电路（珠海）有限公司申请一项名为“一种芯片中高深宽比结构ALD盖层的制备方法、预处理及分析方法”的专利，公开号CN121645887A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种芯片中高深宽比结构ALD盖层的制备方法、预处理及分析方法，该方法对刻蚀后的具有高深宽比结构的芯片进行真空低温加热处理；对经真空低温加热处理的芯片进行原子层沉积，在芯片的高深宽比结构外包覆ALD盖层。有效解决现有采用湿法清洗和/或等离子抗蚀剂剥离等干法清洗存在的高深宽比结构的侧壁刻蚀残留物去除效果差的问题，并解决因高深宽比结构的侧壁附着刻蚀残留物而导致的ALD盖层与高深宽比结构分层、并挤压沟槽的问题。
天眼查资料显示，洪启集成电路（珠海）有限公司，成立于2019年，位于珠海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本142.7452万人民币。通过天眼查大数据分析，洪启集成电路（珠海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可22个。
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